改善二氧化鉛鍍層和鈦基體之間的結合性能，可使用下述方法:涂敷含鉑和氧化鈀底層、在鈦 基體上鍍銀或鍍鉛銀合金、涂敷由錫銻化合物形成的半導體底層、涂敷鈦鉭復合氧化物。

　　為了保護鈦基體和改善與表面層的結合性能，在鈦基體上涂敷含鉑和氧化鈀底層。由于鉑 和氧化鈀具有足夠高的氧過(guò)電位，所以可將鉑和氧化把作底層。除r鉑和把之外的鉑族金屬，如釕 、銥和銠等鉑族金屬雖然具有良好的導電性，但它們的氧過(guò)電位低于二氧化鉛的氧過(guò)電位，因此 不考慮使用。

　　雖然鉑和氧化鈀可取得良好效果，但和其他金屬氧化物混合使用，可進(jìn)一步改善鈦基體的結 合性能，并可減少鉑族金屬的使?？刹捎醚趸?、摻雜氧化擔的氧化欽、氧化錫等。

　　底層厚度約0. 05-3um,如果底層厚度小于0.05um，則基體得不到充分的覆蓋;底層厚度超過(guò)3  u,m，則會(huì )增大電阻。